在第二代太陽(yáng)能電池材料中，二硫化銅銦（CuInS2或CIS）是最有前途的材料之一恩掷。自上世紀(jì)90年代CuInS2就被太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的科
研工作者倡鲸，當(dāng)時(shí)太陽(yáng)能電池的效率已達(dá)到10%[1]。它具有較高的吸收系數(shù)黄娘、直接帶隙（1.52V）[2]和無(wú)毒性使其成為薄膜和量子點(diǎn)敏
化太陽(yáng)能電池的理想候選者峭状。但是，似乎CIS太陽(yáng)能電池的量子效率提升達(dá)到了瓶頸逼争。為了不斷改進(jìn)下一代CIS電池并打破這一限制优床，
必須要清楚的理解制造工藝對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響。
在第二代太陽(yáng)能電池材料中誓焦，二硫化銅銦（CuInS2或CIS）是最有前途的材料之一羔巢。自上世紀(jì)90年代CuInS2就被太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的科研工作者，當(dāng)時(shí)太陽(yáng)能電池的效率已達(dá)到10%[1]罩阵。它具有較高的吸收系數(shù)、直接帶隙（1.52V）[2]和無(wú)毒性使其成為薄膜和量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的理想候選者启摄。但是稿壁，似乎CIS太陽(yáng)能電池的量子效率提升達(dá)到了瓶頸。為了不斷改進(jìn)下一代CIS電池并打破這一限制歉备，必須要清楚的理解制造工藝對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響傅是。
考慮到這一點(diǎn)，IRDEP（法國(guó)光伏能源研究院）的研究人員利用光致發(fā)光（PL）成像對(duì)多晶CuInS2太陽(yáng)能電池進(jìn)行了表征蕾羊。高光譜顯微成像平臺(tái)（IMA Photon）可提供2nm的光譜分辨率和優(yōu)于2μm的空間分辨率喧笔。該設(shè)備采用532nm的激發(fā)光在顯微鏡整視場(chǎng)下均勻的激發(fā)。如圖 1為 圖 2中選擇的不同研究區(qū)域的PL光譜龟再。
圖 2 顯示的是整個(gè)器件的PL成像圖譜[3]书闸。全局成像可快速獲得樣品的不均一性。通過(guò)這種技術(shù)研究人員可以在空間上監(jiān)控多個(gè)屬性利凑。的確浆劲，PL最大限度詳盡的提供了準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂的帶隙和波動(dòng)的成像圖[4]。借助其獲得zuanli的光譜和光度的絕對(duì)校準(zhǔn)哀澈，IRDEP可以獲取器件的光電特性牌借，例如EQE,Voc等。
上海昊量光電設(shè)備有限公司作為Photon 公司在國(guó)內(nèi)的獨(dú)家代理割按，該產(chǎn)品主要特點(diǎn)如下：
1）激發(fā)光源均勻分布整視野膨报，作用于樣品表面激光功率密度較低，同時(shí)避免了由于局部照明造成的載流子復(fù)合即使在較低功率下可獲得高信噪比圖像。
2）整視野面成像现柠，采用光譜掃描院领，成像速度快，150x150μm 2成像范圍僅需8分鐘
3）可做絕對(duì)校準(zhǔn)晒旅，獲得光譜絕對(duì)強(qiáng)度栅盲，獲取器件光電特性如EQE,Voc等
4）可選擇不同波長(zhǎng)的激光作為激發(fā)光源
5）集熒光成像、電致發(fā)光废恋、光致發(fā)光谈秫、透射率、反射率成像等諸多功能于一體鱼鼓。
參考文獻(xiàn)：
[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).
[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post anneaLED copper indium disulfide thin films, Superlattices and Microstructures, (2014).
[3] Delamarre A. et al., Characterisation of solar cells using hyperspectral imager, IRDEP.
[4] Delamarre A. , Paire M., Guillemoles J.-F. and Lombez L., Quantitative luminescence mapping of Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells, Progress in Photovoltaics, 10, 1002, (2014).
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