QUBIG諧振型電光相位調(diào)制器

諧振型電光相位調(diào)制器

一缀拭，諧振型電光調(diào)制器簡(jiǎn)介

諧振型電光調(diào)制器（R-EOM）依托山西大學(xué)量子光學(xué)與光量子器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研技術(shù)進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化。在抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)上填帽，自主研發(fā)了諧振型電光相位調(diào)制器蛛淋，可以有效降低半波電壓、提高調(diào)制深度以及抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制盲赊，提高系統(tǒng)鎖定穩(wěn)定性等（該研究成果被德國Qubig公司在其官網(wǎng)上引用）铣鹏。該調(diào)制器廣泛應(yīng)用于量子信息、激光物理哀蘑、冷原子物理诚卸、原子鐘葵第、時(shí)頻傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

 圖1 德國Qubig公司官網(wǎng)引用山西大學(xué)研究成果

  二合溺， 諧振型低剩余振幅調(diào)制電光相位調(diào)制器性能參數(shù)

                                                1)室溫24.5℃下測(cè)試數(shù)據(jù)

三卒密，諧振型電光相位調(diào)制器典型外觀尺寸

圖2 典型外觀尺寸

備注：上圖為典型外觀尺寸，可定制外觀尺寸棠赛、螺紋大小哮奇、位置及溫控套件，溫控套件需另配睛约。

四鼎俘，測(cè)試方法及結(jié)果：zz1 諧振頻率測(cè)量方法及典型結(jié)果

R-EOM諧振性能測(cè)試裝置圖如圖3所示。將R-EOM的輸入端接入網(wǎng)絡(luò)阻抗分析儀辩涝，測(cè)量R-EOM對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)反射特性贸伐。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖4所示，其中驅(qū)動(dòng)反射率在5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz處達(dá)到很低怔揩，佳諧振頻率即為5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz捉邢，此時(shí)能量轉(zhuǎn)化達(dá)到佳。由于實(shí)際使用信號(hào)源內(nèi)部時(shí)鐘不同商膊，可在設(shè)定頻點(diǎn)附近尋找實(shí)際佳調(diào)制頻率伏伐。

圖3 R-EOM調(diào)制器諧振性能測(cè)試裝置圖

2.調(diào)制深度測(cè)試方法及典型結(jié)果

調(diào)制深度隨驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試裝置圖，如圖5所示晕拆。特定線偏振激光經(jīng)過R-EOM調(diào)制后藐翎，入射到一個(gè)光學(xué)腔中，利用Keysight 33600A或其他信號(hào)源為R-EOM提供驅(qū)動(dòng)潦匈，通過PD探測(cè)腔透射信號(hào)主模式及以及邊帶模式大小及比例阱高，根據(jù)貝塞爾函數(shù)計(jì)算調(diào)制深度赚导。需要說明的是茬缩，在同等情況下，激光波長越短調(diào)制深度越高吼旧，我們是采用852 nm激光進(jìn)行測(cè)試凰锡，如用633 nm，則所需驅(qū)動(dòng)更低圈暗。

Pro版本R-EOM的調(diào)制深度測(cè)試結(jié)果如下圖所示掂为，諧振頻率為5.0 MHz的R-EOM達(dá)到調(diào)制深度1.435時(shí)所需2.15 Vp驅(qū)動(dòng)

五， 激光偏振要求

基于單端楔角晶體的調(diào)制器员串，其激光入射方向及偏振要求如圖8所示勇哗，SMA接頭朝上，面朝logo寸齐，則激光從左端入射欲诺，出射光向右前方偏折抄谐，此時(shí)入射激光偏振方向?yàn)樗?mark class="span_mark" data-type="1">線偏振光（P偏振/H偏振）；若logo面朝上放置扰法，出射激光向上偏折蛹含，此時(shí)入射激光需為垂直線偏振激光（S偏振/V偏振）。

基于雙端平行晶體的調(diào)制器塞颁，對(duì)激光入射方向無要求浦箱，但入射激光偏振同楔角晶體調(diào)制器一致。

圖8 基于單端楔角晶體調(diào)制器的激光入射方向及偏振要求

六祠锣，不同諧振頻率下達(dá)到1rad調(diào)制深度所需驅(qū)動(dòng)電壓（852nm激光測(cè)試）

                PS：50Ω阻抗測(cè)試電壓峰值

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