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原位拉曼在非晶態(tài)氫氧化鈷納米片的合成及其相變?yōu)榻Y(jié)晶氧化鈷的電化學(xué)性能的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2024-12-13 16:37:47 瀏覽量:925 作者:Alice

摘要

超薄二維納米片因其比表面積大迎捺、活性位點(diǎn)暴露大等特點(diǎn)举畸,作為在能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換中Max限度地提高電化學(xué)性能的納米結(jié)構(gòu)而備受關(guān)注。在此凳枝,我們合成了具有非晶相且厚度為<1.5 nm的氫氧化鈷納米片抄沮。根據(jù)表面活性劑濃度生長的無定形氫氧化鈷納米片 通過簡單的熱處理轉(zhuǎn)化為結(jié)晶氧化鈷。采用非原位和原位法詳細(xì)研究了該工藝下電化學(xué)析氧反應(yīng)性能的變化 拉曼光譜岖瑰,并確認(rèn)了超級(jí)電容器的性能叛买。本研究為開發(fā)氫氧化鈷和氧化鈷的相依賴性催化劑提供了有希望的指南,并強(qiáng)調(diào)了晶體結(jié)構(gòu)在促進(jìn)電催化過程中的關(guān)鍵作用蹋订。

正文


原位拉曼在非晶態(tài)氫氧化鈷納米片的合成及其相變?yōu)榻Y(jié)晶氧化鈷的電化學(xué)性能的應(yīng)用


引言:過渡金屬氧化物是過渡金屬和氧離子的化合物,具有與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料不同的特性露戒,具體取決于金屬離子的類型以及陽離子和陰離子之間的化學(xué)計(jì)量組成椒功。可以實(shí)現(xiàn)絕緣性能玫锋,還可以實(shí)現(xiàn)沒有電阻的超導(dǎo)性能蛾茉。zui近,許多工作對元素周期表第 4 期中金屬離子組成的氧化物的電化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究報(bào)道撩鹿,特別是鈷基氧化物的催化活性。


鈷基氧化物包括氫氧化鈷(Co(OH)2) 悦屏、氫氧氧鈷 (CoOOH)和各種氧化鈷(六方 CoO节沦、立方 CoO、Co3O4和 CoO2)階段础爬。它們主要表現(xiàn)出電催化行為甫贯,并具有基于相晶體結(jié)構(gòu)的多功能催化機(jī)理.在氫氧化鈷的情況下,其特征催化機(jī)理因結(jié)晶度而異看蚜,非晶相具有更好的析氧反應(yīng)(OER)活性叫搁。上述鈷基氧化物是使用化學(xué)氣相沉積、熱水渴逻、電沉積和旋涂等技術(shù)合成的。在zui近的納米結(jié)構(gòu)中音诫,具有超薄厚度的納米片由于其固有的優(yōu)勢惨奕,如大比表面積和活性位點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換過程中電化學(xué)性能Max化的良好平臺(tái).此外竭钝,由相同或不同元素組成的材料的垂直堆疊很簡單梨撞,適用于均勻的轉(zhuǎn)移到多種基板雹洗。


創(chuàng)建二維(2D)納米片結(jié)構(gòu),自上而下的方法可以從較高的維度轉(zhuǎn)換為較低的維度卧波,而自下而上的方法則使用前驅(qū)體離子时肿,表面活性劑作為輔助行程離子結(jié)構(gòu)而不受原始晶體結(jié)構(gòu)的限制。通過使用鈷陽離子前驅(qū)體和表面活性劑陰離子港粱,就可以合成鈷基氧化物納米片并將其轉(zhuǎn)移到任意基底上使用螃成。


在這項(xiàng)研究中,我們使用上述方法合成了厚度為1.5 nm的非晶氫氧化鈷納米片啥容,并報(bào)告了其詳細(xì)的形貌和晶體學(xué)特征锈颗。通過簡單的熱處理誘導(dǎo)均勻合成的非晶態(tài)氫氧化鈷發(fā)生相變,證實(shí)了電催化活性和超級(jí)電容器的性能對相變的依賴性咪惠。本研究為氫氧化鈷和氧化鈷相依賴催化劑的開發(fā)提供了見解击吱,并強(qiáng)調(diào)了晶體結(jié)構(gòu)在促進(jìn)電催化過程中的關(guān)鍵作用。


圖 1.氫氧化鈷納米片的合成遥昧。(a) 在水-空氣界面處形成納米片的圖示。通過舀取將合成的納米片轉(zhuǎn)移到任意基質(zhì)中炭臭。(b)–(e)三角形島和(f)–(g)大面積納米片的SEM圖像永脓。 


這項(xiàng)工作是采用表面活性劑輔助的方法合成了氫氧化鈷納米片,其中表面活性劑的電離分子在水-空氣界面上自組裝鞋仍。因此常摧,在納米片的生長過程中,電離后的分子在水面上自組裝成一個(gè)高度排列的單分子層威创,形成一個(gè)帶負(fù)電荷的離子層落午。因此,正的Co2+離子被吸引到界面上肚豺,形成納米片溃斋。圖1a為氫氧化鈷納米片。在生長過程中吸申,納米片用任意的襯底將其浸出水-空氣界面梗劫,合成島和納米片。


本文中采用原位拉曼光譜分析方法截碴,研究了氫氧化鈷和退火納米片樣品中活性相的性質(zhì)梳侨。從樣品中采集了原位光譜(圖5a),顯示了多個(gè)相關(guān)物種隐岛。值得注意的是猫妙,在大約500和15000px-1處觀察到兩個(gè)主峰,明確Co(OH)2的存在聚凹。在470和17000px?1處出現(xiàn)了與CoO相對應(yīng)的特征峰齐帚。該光譜中其他的較弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.這些結(jié)果與TEM和XPS結(jié)果非常吻合。在退火樣品的拉曼光譜中彼哼,Co3O4的特征峰尤其明顯对妄。具體來說,盡管CoO和Co(OH)2的F2g模式(~200敢朱、520 和 610 cm?1)剪菱、Eg模式(~12000px?1)和 A1g模式(~17250px?1)的峰都存在,但退火后幾乎完全轉(zhuǎn)變?yōu)镃o3O4的特征峰拴签。


圖 5.(a)合成的氫氧化鈷和退火納米片的原位拉曼光譜孝常。(b)氫氧化鈷(紫色)和(c)退火(橙色)納米片的原位拉曼光譜,從1.2V到1.6 V獲得蚓哩。虛線框表示與CoOOH形成相關(guān)的電位相關(guān)光譜變化x(x < 1)构灸。


圖5b和c顯示了兩個(gè)樣品電位依賴性的原位拉曼光譜,記錄的電壓范圍為1.2至1.6 V岸梨,間隔為0.05 V喜颁。對于氫氧化鈷納米片(圖5b),在1.35 V的電壓下觀察到明顯的光譜變化曹阔。盡管相關(guān)物種的拉曼峰的分布一直存在爭議半开,但在這個(gè)范圍內(nèi),14250px-1處拉曼峰通常標(biāo)志著CoOOH的形成赃份。超過1.35 V寂拆,CoOOH的氧化幾乎完成,CoO的特征峰開始出現(xiàn)(470 和 580 cm-1)漓库,表明CoOOH的部分氧化。因此园蝠,我們將電解條件下的峰分配稱為CoOOHx(x < 1)。與氫氧化鈷納米片的光譜結(jié)果相反痢士,退火納米片的電位依賴性拉曼光譜沒有觀察到顯著變化(圖5c)彪薛,這與先前報(bào)道的關(guān)于Co3O4催化劑的研究結(jié)果一致。然而怠蹂,通過聚焦于于 550-600cm-1頻率區(qū)域善延,可以觀察到一個(gè)微妙但清晰的光譜變化,與 CoOOHx(x < 1) 的形成相對應(yīng)城侧。這表明在ORE條件下易遣, CoOOH 和 CoO 共存,而 Co3O4仍然是主導(dǎo)相嫌佑。


鈷基材料豆茫,包括 Co(OH)2侨歉、CoO 和Co3O4在QRE領(lǐng)域進(jìn)行了廣泛的研究。不管鈷基前驅(qū)體的初始狀態(tài)如何揩魂,鈷基OER催化劑施加電勢后都會(huì)轉(zhuǎn)化為三維CoOx(OH)y幽邓。一項(xiàng)采用原位環(huán)境XPS技術(shù)研究了Co3O4/Co(OH)2雙相電催化劑。結(jié)果光譜顯示火脉,在預(yù)化電化學(xué)條件下牵舵,Co3O4僅部分轉(zhuǎn)化為CoOOH,而Co(OH)2完全轉(zhuǎn)變?yōu)镃oOOH倦挂。此外袭景,在ORE條件下,在雙相催化劑中觀察到高活性的Co4+位點(diǎn),但在作為參考的單相Co3O4中沒有米奸。基于模擬和光譜數(shù)據(jù)奋渔,雙相催化劑OER性能的增強(qiáng)不僅歸因于Co(OH)2的完全氧化為 CoOOH 碟案,還因?yàn)?Co(OH)2促進(jìn)Co3O4向CoOOH的轉(zhuǎn)化。Co3O4的催化活性已被廣泛研究笛丙。值得注意的是漾脂,在Co3O4的四面體(Co2+)和八面體(Co3+)位點(diǎn)上的活性位點(diǎn)的分配仍未得到解決。盡管如此胚鸯,向CoOOH的轉(zhuǎn)變骨稿,被認(rèn)為是提高OER性的關(guān)鍵因素。Co2+位點(diǎn)姜钳,而不是Co3+坦冠,已被認(rèn)定為Co3O4向CooOOH轉(zhuǎn)化過程中密切相關(guān)的關(guān)鍵物質(zhì),從而促進(jìn)了OER的活性增強(qiáng)哥桥。一些研究表明辙浑,Co(OH)2相對于 Co3O4的重要性,這與它更容易轉(zhuǎn)化為 CoOOH 和 CoO 有關(guān)拟糕。

眾所周知判呕,較高的高價(jià)Co位點(diǎn)的豐度與OER性能的增強(qiáng)相關(guān)。zui近的研究結(jié)果表明送滞,高價(jià)Co位點(diǎn)的增加導(dǎo)致了eg-軌道填充的優(yōu)化,促進(jìn)金屬D帶和氧P帶之間的電荷轉(zhuǎn)移犁嗅。因此边涕,晶格氧氧化機(jī)理(LOM)是有利的,有可能克服吸附物析出機(jī)理(AEM)的限制。盡管在退火過程中功蜓, Co(OH)2轉(zhuǎn)化Co3O4導(dǎo)致鈷位點(diǎn)的氧化態(tài)增加园爷,我們的原位拉曼光譜數(shù)據(jù)顯示,與Co(OH)2相比霞赫,退火后的Co3O4催化劑表面的CoOOH和CoO2的形成量相對較低腮介。這表明負(fù)責(zé)OER的活性相更多地存在于非靜態(tài)氫氧化物表面上,而不是存在于結(jié)晶氧化物表面上端衰。因此叠洗,我們假設(shè) Co3O4的OER活性低于Co(OH)2是由于高價(jià)鈷物質(zhì),如Co3+和Co4+的形成減少旅东,因此有利于通過傳統(tǒng)的AEM而不是LOM進(jìn)行的OER過程灭抑。


本文研究介紹了超薄非晶態(tài)氫氧化鈷納米片的合成,并根據(jù)簡單熱處理引起的相變進(jìn)行了詳細(xì)的晶體結(jié)構(gòu)分析及其電化學(xué)性能抵代。納米片在不根據(jù)表面活性劑濃度改變其厚度的情況下擴(kuò)大了其橫向尺寸腾节。此外,其非晶態(tài)熱處理相轉(zhuǎn)化為結(jié)晶鈷氧化物荤牍。這種相變形成的氫氧化鈷和退火納米片具有不同的電化學(xué)性質(zhì),其中基于結(jié)晶度的相變對性能的影響Max康吵。此外劈榨,由于超級(jí)電容器的結(jié)構(gòu),其在非晶相中的性能更為優(yōu)越晦嵌。


文章信息:該成果以“Synthesis of amorphous cobalt hydroxide nanosheets and electrochemical performance according to phase transition into crystalline cobalt oxides”為題發(fā)表在知名期刊Journal of Alloys and Compounds 上同辣,韓國慶尚國立大學(xué)Lee Minjeong 為第1作者。


本研究采用的原位拉曼是在定制的 Teflon cell 中聯(lián)用的惭载,使用的是Nanobase的XperRam S共聚焦顯微拉曼光譜儀系統(tǒng)和60×水浸物鏡(奧林巴斯)旱函。


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