化學(xué)氣相沉積法（CVD）生長的二維材料已被廣泛用于研究和應(yīng)用纪岁。不同的襯底會(huì)對(duì)生長的二維材料產(chǎn)生影響凑队，使它們的形態(tài)，晶體
質(zhì)量，光學(xué)性能等被改變漩氨。云南大學(xué)楊鵬教授課題組研究了襯底對(duì)CVD生長MoS2和WS2的影響西壮。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作為襯
底生長二維材料。
化學(xué)氣相沉積法（CVD）生長的二維材料已被廣泛用于研究和應(yīng)用霍狰。不同的襯底會(huì)對(duì)生長的二維材料產(chǎn)生影響抡草，使它們的形態(tài)，晶體
質(zhì)量蔗坯，光學(xué)性能等被改變康震。云南大學(xué)楊鵬教授課題組研究了襯底對(duì)CVD生長MoS2和WS2的影響。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作為襯
底生長二維材料宾濒。
形態(tài)&晶體質(zhì)量
如上圖a所示腿短，SiO2 / Si襯底上的CVD生長的MoS2具有規(guī)則的三角形形狀，具有清晰的分層結(jié)構(gòu)绘梦，說明了合成了不同層數(shù)的MoS2答姥。d
是在Si襯底上生長的MoS2,圖中只能看到針狀納米棒的合成。
接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si谚咬，PTCDA充當(dāng)CVD外延生長的成核中心鹦付，并有助于在這兩種基底上獲得相對(duì)較大的二維MoS2。但
是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性不好敲长，因?yàn)闆]有觀察到明顯的層狀結(jié)構(gòu)和規(guī)則形狀。
如上圖是O2等離子體處理的SiO2/Si,Si秉继，O2等離子體激活了基底表面上的原子祈噪，正如圖2c所示，在SiO2 / Si上生長的MoS2表現(xiàn)出更
加無序的結(jié)構(gòu)尚辑。如圖f所示辑鲤，Si基底尺寸小，在O2等離子體清洗后杠茬，二維MoS2結(jié)晶良好月褥。
光學(xué)性能
如上圖是生長在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜∑昂恚可以看出長在Si基底上的二維材料的PL信號(hào)都很弱宁赤，可能是因?yàn)镾i本身
是半導(dǎo)體，MoS2 / WS2中的電子一旦被激發(fā)就更容易逃逸栓票，并且不會(huì)復(fù)合决左，那意味著對(duì)于PL來說，從激子復(fù)活中獲取的能量少。而
且佛猛，長在SiO2/Si基底上的MoS2/WS2比長在石英玻璃上的有更強(qiáng)的PL.這可能是由于石英的透明度惑芭，如下圖所示。二維材料-襯底界面
間的反射可以延長入射光激發(fā)PL的路徑继找。相反强衡，透明的石英玻璃能允許大量入射光穿過它，因此码荔，只能利用很少的入射光漩勤。
拉曼mapping
接下來為了進(jìn)一步研究樣品的晶體質(zhì)量缩搅，對(duì)MoS2和WS2進(jìn)行了拉曼成像測試越败。圖5a,d清晰地展示了生長在石英玻璃上的MoS2/WS2
比生長在其他基底上半峰寬FWHM大，這表明生長的二維材料的晶體質(zhì)量不均勻硼瓣。石英上生長的樣品均勻性較差是由非晶質(zhì)襯底和
MoS2/WS2之間的不匹配引起的究飞，這會(huì)使得材料-基底的邊界產(chǎn)生缺陷。然后正如圖b所示堂鲤，與WS2相似（圖e亿傅，f），在SiO2 / Si上生
長的MoS2的半峰寬FWHM略小于在Si上的瘟栖。這個(gè)現(xiàn)象表明SiO2/Si基底具有比其他兩種基底更高質(zhì)量生長二維MoS2/WS2的能力葵擎。
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